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InGaAs-PIN光電探測器HCA-S-200M-IN-FC/FST

InGaAs-PIN光電探測器HCA-S-200M-IN-FC/FST

簡要描述:
對于 InGaAs 型號,集成放大器的阻抗為 2 × 10^4 V/A,1550 nm 處的最大轉換增益為 1.9 × 10^4 V/W。復雜的直流耦合多級放大器設計可以測量直流至高達 200 MHz 的帶寬,對應的上升時間低至 1.8 ns。InGaAs-PIN光電探測器HCA-S-200M-IN-FC/FST

更新時間:2025-06-08

訪問量:672

廠商性質:生產廠家

生產地址:德國

HCA-S-200M 配備大面積 Si-PIN 和 InGaAs-PIN 光電二極管,覆蓋 320 至 1000 nm 或 900 至 1700 nm 的光譜范圍。

對于 InGaAs 型號,集成放大器的阻抗為 2 × 10^4 V/A,1550 nm 處的最大轉換增益為 1.9 × 10^4 V/W。復雜的直流耦合多級放大器設計可以測量直流至高達 200 MHz 的帶寬,對應的上升時間低至 1.8 ns。 5 W/√Hz 的低噪聲等效功率 (NEP) 允許使用微瓦范圍內的光功率進行檢測,而無需進行信號平均。這意味著可以直接檢測低至微瓦范圍的短脈沖,而無需額外的信號平均。 

型號

HCA-S-200M-SI-FC
HCA-S-200M-SI-FST

HCA-S-200M-IN-FC
HCA-S-200M-IN-FST

光電二極管0.8mm ? Si-PIN0.3mm ? InGaAs PIN 
光譜范圍320 ~ 1100 nm 900 ~ 1700 nm 
帶寬 (-3dB) DC - 200 MHz DC - 200 MHz 
上升/下降時間 (10%~90%) 1.8 ns 1.8 ns 
跨阻增益2 x 10^ 4 V/A 2 x 10^ 4 V/A 
最大轉換增益6.2 x 10 6 V / W (@ 900nm) 9.5 x 10 6 V / W (@ 1550 nm) 
最小 NEP (@10kHz)1.1 × 10 4 V / W (@ 800n) 9.5 x 10^6 V/W (@ 1550nm) 

輸出電壓±1.2 V(用于50 Ω負載下的線性操作)。偏移可通過電位計調節。輸出短路保護。帶自由空間輸入的光接收器配有螺紋 M4 和 8-32 安裝孔,可與標準安裝柱一起使用。電源±15 V,通過 3 針 Lemo ® 插座。設備隨附配套連接器。可選電源 PS-15 可用。有關更多信息,請查看數據表或聯系 FEMTO。

InGaAs-PIN光電探測器HCA-S-200M-IN-FC/FST

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